STD4NA40-1 - описание и поиск аналогов

 

STD4NA40-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD4NA40-1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: IPAK

Аналог (замена) для STD4NA40-1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD4NA40-1 даташит

 ..1. Size:169K  1
std4na40 std4na40-1 std4na40t4.pdfpdf_icon

STD4NA40-1

STD4NA40 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD4NA40 400 V

 6.1. Size:169K  st
std4na40.pdfpdf_icon

STD4NA40-1

STD4NA40 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD4NA40 400 V

 9.1. Size:142K  1
std4n25 std4n25-1 std4n25t4.pdfpdf_icon

STD4NA40-1

STD4N25 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS TYPE V R I DSS DS(on) D STD4N25 250 V

 9.2. Size:610K  st
std4nk100z.pdfpdf_icon

STD4NA40-1

STD4NK100Z N-channel 1000 V, 5.6 , 2.2 A SuperMESH Power MOSFET Zener-protected in DPAK package Datasheet preliminary data Features Order code VDSS RDS(on)max ID STD4NK100Z 1000 V

Другие MOSFET... STD3N30L , STD3N30L-1 , STD3N30LT4 , STD3N30T4 , STD3NA50-1 , STD3NA50T4 , STD4N25-1 , STD4N25T4 , IRFZ44 , STD4NA40T4 , STD5N20-1 , STD5N20T4 , STD6N10-1 , STD6N10T4 , STD8N06-1 , STD8N06T4 , STD8N10 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.