Справочник MOSFET. IPT012N06N

 

IPT012N06N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPT012N06N
   Маркировка: 012N06N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 313 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 106 nC
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1800 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0012 Ohm
   Тип корпуса: HSOF-8

 Аналог (замена) для IPT012N06N

 

 

IPT012N06N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:634K  infineon
 ipt012n06n.pdf

IPT012N06N IPT012N06N

IPT012N06NMOSFETHSOFOptiMOSTM Power-Transistor, 60 VFeaturesTab 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel1 Qualified according to JEDEC1) for target applications 2345 Pb-free lead plating; RoHS compliant678 Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial Applica

 6.1. Size:1178K  infineon
 ipt012n08n5.pdf

IPT012N06N IPT012N06N

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 VIPT012N08N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 VIPT012N08N5HSOF1 DescriptionFeaturesTab Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resista

 9.1. Size:1186K  infineon
 ipt015n10n5.pdf

IPT012N06N IPT012N06N

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 VIPT015N10N5Data SheetRev. 2.1FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 100 VIPT015N10N5HSOF1 DescriptionFeaturesTab Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resis

 9.2. Size:674K  infineon
 ipt019n08n5.pdf

IPT012N06N IPT012N06N

IPT019N08N5MOSFETHSOFOptiMOSTM 5 Power-Transistor, 80 VFeaturesTab Ideal for high frequency switching and sync. rec. Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)1 N-channel, normal level 2345 100% avalanche tested678 Pb-free plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Product vali

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , RFP50N06 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: 2N6785

 

 
Back to Top