Справочник MOSFET. IPT210N25NFD

 

IPT210N25NFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPT210N25NFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: HSOF-8
 

 Аналог (замена) для IPT210N25NFD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPT210N25NFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:999K  infineon
 ipt210n25nfd.pdf pdf_icon

IPT210N25NFD

IPT210N25NFDMOSFETHSOFOptiMOS3 Power-Transistor, 250 VFeaturesTab N-channel, normal level Fast Diode (FD) with reduced Qrr Optimized for hard commutation ruggedness1 Very low on-resistance R 2DS(on)345 175 C operating temperature678 Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application H

Другие MOSFET... IPSA70R600P7S , IPSA70R750P7S , IPSA70R900P7S , IPT012N06N , IPT019N08N5 , IPT026N10N5 , IPT029N08N5 , IPT111N20NFD , AO3400 , IPT60R022S7 , IPT60R028G7 , IPT60R040S7 , IPT60R050G7 , IPT60R065S7 , IPT60R102G7 , IPT60R150G7 , IPT65R033G7 .

History: FTK35N03PDFN56 | PTA13N50B | APT6029BLL | SL4N150B | BSR202N | UPA2757GR | MCU20N06B

 

 
Back to Top

 


 
.