Справочник MOSFET. IPT210N25NFD

 

IPT210N25NFD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPT210N25NFD
   Маркировка: 210N25NF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 69 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 65 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: HSOF-8

 Аналог (замена) для IPT210N25NFD

 

 

IPT210N25NFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:999K  infineon
 ipt210n25nfd.pdf

IPT210N25NFD IPT210N25NFD

IPT210N25NFDMOSFETHSOFOptiMOS3 Power-Transistor, 250 VFeaturesTab N-channel, normal level Fast Diode (FD) with reduced Qrr Optimized for hard commutation ruggedness1 Very low on-resistance R 2DS(on)345 175 C operating temperature678 Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application H

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SRH03P098LMTR-G

 

 
Back to Top