STD6N10T4 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STD6N10T4  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.45 Ohm

Тип корпуса: DPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STD6N10T4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD6N10T4 даташит

 ..1. Size:344K  1
std6n10 std6n10-1 std6n10t4.pdfpdf_icon

STD6N10T4

STD6N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STD6N10 100 V

 7.1. Size:344K  st
std6n10.pdfpdf_icon

STD6N10T4

STD6N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STD6N10 100 V

 9.1. Size:500K  st
std6n95k5 stp6n95k5 stu6n95k5 stw6n95k5.pdfpdf_icon

STD6N10T4

STD6N95K5, STP6N95K5 STU6N95K5, STW6N95K5 Datasheet N-channel 950 V, 1 typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFETs in DPAK, TO-220, IPAK and TO-247 packages Features TAB TAB Order codes VDS RDS(on) max. ID PTOT 3 1 DPAK STD6N95K5 3 TO-220 STP6N95K5 2 1 950 V 1.25 9 A 90 W TAB STU6N95K5 STW6N95K5 DPAK 950 V worldwide best RDS(on) 3 2 IPAK 1 3 Worldwide best FOM

 9.2. Size:692K  st
stb6nm60n std6nm60n-1 std6nm60n stf6nm60n stp6nm60n.pdfpdf_icon

STD6N10T4

STx6NM60N N-channel 600 V, 0.85 , 4.6 A MDmesh II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK Features VDSS RDS(on) Type ID (@Tjmax) max 3 3 STB6NM60N 650 V

Другие IGBT... STD3NA50T4, STD4N25-1, STD4N25T4, STD4NA40-1, STD4NA40T4, STD5N20-1, STD5N20T4, STD6N10-1, IRFP260N, STD8N06-1, STD8N06T4, STD8N10, STD8N10-1, STD8N10L, STD8N10L-1, STD8N10LT4, STD8N10T4