IPU80R1K4P7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IPU80R1K4P7
Маркировка: 80R1K4P7
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC
trⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 6.5 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для IPU80R1K4P7
IPU80R1K4P7 Datasheet (PDF)
ipu80r1k4p7.pdf
IPU80R1K4P7MOSFETIPAK800V CoolMOS P7 Power TransistorThe latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800Vtabsuper junction technologies and combines best-in-class performance withstate of the art ease-of-use, resulting from Infineons over 18 yearspioneering super junction technology innovation.Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and CDS(
ipd80r1k4ce ipu80r1k4ce.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE800V CoolMOS CE Power TransistorIPx80R1K4CEData SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket800V CoolMOS CE Power TransistorIPD80R1K4CE, IPU80R1K4CEDPAK IPAK1 DescriptiontabtabCoolMOS CE is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs. The high voltage capability combine
ipu80r1k4ce.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPU80R1K4CEFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)1.4(@V = 10V; I = 2.3A)GS DAdvanced trench process technology100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSFast switching application.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VAL
ipd80r1k0ce ipu80r1k0ce.pdf
MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorCoolMOS CE800V CoolMOS CE Power TransistorIPx80R1K0CEData SheetRev. 2.1FinalPower Management & Multimarket800V CoolMOS CE Power TransistorIPD80R1K0CE, IPU80R1K0CEDPAK IPAK1 DescriptiontabtabCoolMOS CE is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs. The high voltage capability combine
ipu80r1k0ce.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IPU80R1K0CEFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 60N06 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F