IPU80R1K4P7 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IPU80R1K4P7

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 6.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для IPU80R1K4P7

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPU80R1K4P7 даташит

 ..1. Size:1228K  infineon
 ipu80r1k4p7.pdf pdf_icon

IPU80R1K4P7

IPU80R1K4P7 MOSFET IPAK 800V CoolMOS P7 Power Transistor The latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800V tab super junction technologies and combines best-in-class performance with state of the art ease-of-use, resulting from Infineon s over 18 years pioneering super junction technology innovation. Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and C DS(

 5.1. Size:2292K  infineon
 ipd80r1k4ce ipu80r1k4ce.pdf pdf_icon

IPU80R1K4P7

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CE 800V CoolMOS CE Power Transistor IPx80R1K4CE Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket 800V CoolMOS CE Power Transistor IPD80R1K4CE, IPU80R1K4CE DPAK IPAK 1 Description tab tab CoolMOS CE is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. The high voltage capability combine

 5.2. Size:265K  inchange semiconductor
 ipu80r1k4ce.pdf pdf_icon

IPU80R1K4P7

isc N-Channel MOSFET Transistor IPU80R1K4CE FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 1.4 (@V = 10V; I = 2.3A) GS D Advanced trench process technology 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Fast switching application. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VAL

 6.1. Size:2278K  infineon
 ipd80r1k0ce ipu80r1k0ce.pdf pdf_icon

IPU80R1K4P7

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS CE 800V CoolMOS CE Power Transistor IPx80R1K0CE Data Sheet Rev. 2.1 Final Power Management & Multimarket 800V CoolMOS CE Power Transistor IPD80R1K0CE, IPU80R1K0CE DPAK IPAK 1 Description tab tab CoolMOS CE is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs. The high voltage capability combine

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPT60R040S7, IPT60R050G7, IPT60R065S7, IPT60R102G7, IPT60R150G7, IPT65R033G7, IPT65R105G7, IPT65R195G7, IRF1010E, IPU80R2K0P7, IPU80R2K4P7, IPU80R600P7, IPU80R750P7, IPU95R450P7, IPU95R750P7, IPW60R024CFD7, IPW60R031CFD7