Справочник MOSFET. IPW80R280P7

 

IPW80R280P7 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IPW80R280P7
   Маркировка: 80R280P7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 101 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 17 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 36 nC
   Время нарастания (tr): 6 ns
   Выходная емкость (Cd): 20 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для IPW80R280P7

 

 

IPW80R280P7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:930K  infineon
 ipw80r280p7.pdf

IPW80R280P7 IPW80R280P7

IPW80R280P7MOSFETPG-TO 247-3800V CoolMOS P7 Power TransistorThe latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800Vsuper junction technologies and combines best-in-class performance withstate of the art ease-of-use, resulting from Infineons over 18 yearspioneering super junction technology innovation.Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and CD

 7.1. Size:214K  infineon
 ipw80r290c3a.pdf

IPW80R280P7 IPW80R280P7

IPW80R290C3ACoolMOS Power TransistorProduct SummaryV 800 VDSR 0.29DS(on)maxQ 91 nCg,typFeatures New revolutionary high voltage technologyPG-TO247-3 Ultra low gate charge and ultra low effective capacitances Extreme dv/dt rated High peak current capability Automotive AEC Q101 qualified RoHS compliantCoolMOS C3A designed for: DC/DC c

 8.1. Size:950K  infineon
 ipw80r360p7.pdf

IPW80R280P7 IPW80R280P7

IPW80R360P7MOSFETPG-TO 247-3800V CoolMOS P7 Power TransistorThe latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800Vsuper junction technologies and combines best-in-class performance withstate of the art ease-of-use, resulting from Infineons over 18 yearspioneering super junction technology innovation.Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and CD

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top