Справочник MOSFET. IPW80R360P7

 

IPW80R360P7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IPW80R360P7
   Маркировка: 80R360P7
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 84 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 30 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 16 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для IPW80R360P7

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPW80R360P7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:950K  infineon
ipw80r360p7.pdfpdf_icon

IPW80R360P7

IPW80R360P7MOSFETPG-TO 247-3800V CoolMOS P7 Power TransistorThe latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800Vsuper junction technologies and combines best-in-class performance withstate of the art ease-of-use, resulting from Infineons over 18 yearspioneering super junction technology innovation.Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and CD

 8.1. Size:214K  infineon
ipw80r290c3a.pdfpdf_icon

IPW80R360P7

IPW80R290C3ACoolMOS Power TransistorProduct SummaryV 800 VDSR 0.29DS(on)maxQ 91 nCg,typFeatures New revolutionary high voltage technologyPG-TO247-3 Ultra low gate charge and ultra low effective capacitances Extreme dv/dt rated High peak current capability Automotive AEC Q101 qualified RoHS compliantCoolMOS C3A designed for: DC/DC c

 8.2. Size:930K  infineon
ipw80r280p7.pdfpdf_icon

IPW80R360P7

IPW80R280P7MOSFETPG-TO 247-3800V CoolMOS P7 Power TransistorThe latest 800V CoolMOS P7 series sets a new benchmark in 800Vsuper junction technologies and combines best-in-class performance withstate of the art ease-of-use, resulting from Infineons over 18 yearspioneering super junction technology innovation.Features Best-in-class FOM R * E ; reduced Q , C , and CD

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , 7N65 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: HFP5N50S | IPZ40N04S5-3R1 | BL5N50-A | FMM150-0075X2F

 

 
Back to Top

 


 
.