IPZ60R070P6 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IPZ60R070P6  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 391 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm

Тип корпуса: TO247-4

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IPZ60R070P6

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPZ60R070P6 даташит

 ..1. Size:1286K  infineon
 ipz60r070p6.pdf pdf_icon

IPZ60R070P6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS P6 600V CoolMOS P6 Power Transistor IPZ60R070P6 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 600V CoolMOS P6 Power Transistor IPZ60R070P6 PG-TO 247-4 1 Description CoolMOS is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and

 7.1. Size:1460K  infineon
 ipz60r099c7.pdf pdf_icon

IPZ60R070P6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C7 600V CoolMOS C7 Power Transistor IPZ60R099C7 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 600V CoolMOS C7 Power Transistor IPZ60R099C7 PG-TO 247-4 1 Description CoolMOS C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle a

 7.2. Size:1469K  infineon
 ipz60r040c7.pdf pdf_icon

IPZ60R070P6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C7 600V CoolMOS C7 Power Transistor IPZ60R040C7 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 600V CoolMOS C7 Power Transistor IPZ60R040C7 PG-TO 247-4 1 Description CoolMOS C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle a

 7.3. Size:1296K  infineon
 ipz60r060c7.pdf pdf_icon

IPZ60R070P6

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor CoolMOS C7 600V CoolMOS C7 Power Transistor IPZ60R060C7 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket 600V CoolMOS C7 Power Transistor IPZ60R060C7 PG-TO 247-4 1 Description CoolMOS C7 is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IPW80R280P7, IPW80R290C3A, IPW80R360P7, IPZ40N04S5-3R1, IPZ40N04S5-5R4, IPZ40N04S5-8R4, IPZ40N04S5L-7R4, IPZ60R060C7, K4145, IPZA60R037P7, IPZA60R045P7, IPZA60R060P7, IPZA60R080P7, IPZA60R120P7, IPZA60R180P7, IQE006NE2LM5, IQE006NE2LM5CG