Справочник MOSFET. IQE006NE2LM5

 

IQE006NE2LM5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IQE006NE2LM5
   Маркировка: 006E2L5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 61.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00065 Ohm
   Тип корпуса: TSON-8-4
 

 Аналог (замена) для IQE006NE2LM5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IQE006NE2LM5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1423K  infineon
 iqe006ne2lm5.pdf pdf_icon

IQE006NE2LM5

IQE006NE2LM5MOSFETPG-TSON-8-4OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 25 VFeatures12 Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS34 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel87 Pb-free lead plating; RoHS compliant65 Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial Applicat

 0.1. Size:1024K  infineon
 iqe006ne2lm5cg.pdf pdf_icon

IQE006NE2LM5

IQE006NE2LM5CGMOSFETPG-TTFN-9-1OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 25 V12Features34 Very low on-resistance RDS(on)9 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level Pb-free lead plating; RoHS compliant87 Halogen-free according to IEC61249-2-2165Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial Appl

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top

 


 
.