IQE006NE2LM5 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IQE006NE2LM5  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00065 Ohm

Тип корпуса: TSON-8-4

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IQE006NE2LM5

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IQE006NE2LM5 даташит

 ..1. Size:1423K  infineon
 iqe006ne2lm5.pdf pdf_icon

IQE006NE2LM5

IQE006NE2LM5 MOSFET PG-TSON-8-4 OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 25 V Features 1 2 Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS 3 4 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel 8 7 Pb-free lead plating; RoHS compliant 6 5 Halogen-free according to IEC61249-2-21 Product validation Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applicat

 0.1. Size:1024K  infineon
 iqe006ne2lm5cg.pdf pdf_icon

IQE006NE2LM5

IQE006NE2LM5CG MOSFET PG-TTFN-9-1 OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 25 V 1 2 Features 3 4 Very low on-resistance R DS(on) 9 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level Pb-free lead plating; RoHS compliant 8 7 Halogen-free according to IEC61249-2-21 6 5 Product validation Fully qualified according to JEDEC for Industrial Appl

Другие IGBT... IPZ60R060C7, IPZ60R070P6, IPZA60R037P7, IPZA60R045P7, IPZA60R060P7, IPZA60R080P7, IPZA60R120P7, IPZA60R180P7, 60N06, IQE006NE2LM5CG, IRF1310NLPBF, IRF135SA204, IRF150P220, IRF150P221, IRF200S234, IRF3007LPBF, IRF300P226