IQE006NE2LM5 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IQE006NE2LM5
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00065 Ohm
Тип корпуса: TSON-8-4
Аналог (замена) для IQE006NE2LM5
IQE006NE2LM5 Datasheet (PDF)
iqe006ne2lm5.pdf
IQE006NE2LM5MOSFETPG-TSON-8-4OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 25 VFeatures12 Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS34 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel87 Pb-free lead plating; RoHS compliant65 Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial Applicat
iqe006ne2lm5cg.pdf
IQE006NE2LM5CGMOSFETPG-TTFN-9-1OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 25 V12Features34 Very low on-resistance RDS(on)9 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level Pb-free lead plating; RoHS compliant87 Halogen-free according to IEC61249-2-2165Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial Appl
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918