IQE006NE2LM5 - описание и поиск аналогов

 

Аналоги IQE006NE2LM5. Основные параметры


   Наименование производителя: IQE006NE2LM5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 41 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00065 Ohm
   Тип корпуса: TSON-8-4
 

 Аналог (замена) для IQE006NE2LM5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IQE006NE2LM5 даташит

 ..1. Size:1423K  infineon
 iqe006ne2lm5.pdf pdf_icon

IQE006NE2LM5

IQE006NE2LM5 MOSFET PG-TSON-8-4 OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 25 V Features 1 2 Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS 3 4 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel 8 7 Pb-free lead plating; RoHS compliant 6 5 Halogen-free according to IEC61249-2-21 Product validation Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applicat

 0.1. Size:1024K  infineon
 iqe006ne2lm5cg.pdf pdf_icon

IQE006NE2LM5

IQE006NE2LM5CG MOSFET PG-TTFN-9-1 OptiMOSTM 5 Power-Transistor, 25 V 1 2 Features 3 4 Very low on-resistance R DS(on) 9 100% avalanche tested Superior thermal resistance N-channel, logic level Pb-free lead plating; RoHS compliant 8 7 Halogen-free according to IEC61249-2-21 6 5 Product validation Fully qualified according to JEDEC for Industrial Appl

Другие MOSFET... IPZ60R060C7 , IPZ60R070P6 , IPZA60R037P7 , IPZA60R045P7 , IPZA60R060P7 , IPZA60R080P7 , IPZA60R120P7 , IPZA60R180P7 , AO3400A , IQE006NE2LM5CG , IRF1310NLPBF , IRF135SA204 , IRF150P220 , IRF150P221 , IRF200S234 , IRF3007LPBF , IRF300P226 .

History: IRFP460APBF

 

 

 


 
↑ Back to Top
.