IRF3007LPBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRF3007LPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 62 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 520 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0126 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для IRF3007LPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRF3007LPBF даташит
irf3007spbf irf3007lpbf.pdf
PD - 95494A IRF3007SPbF IRF3007LPbF Typical Applications l Industrial Motor Drive HEXFET Power MOSFET Features D VDSS = 75V l Ultra Low On-Resistance l 175 C Operating Temperature l Fast Switching RDS(on) = 0.0126 G l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free ID = 62A S Description This design of HEXFET Power MOSFETs utilizes the lastest processing technique
irf3007l.pdf
Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF3007L FEATURES With To-262 package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 75
irf3007.pdf
PD -94424A AUTOMOTIVE MOSFET IRF3007 Typical Applications HEXFET Power MOSFET 42 Volts Automotive Electrical Systems D Features VDSS = 75V Ultra Low On-Resistance 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.0126 Fast Switching G Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax Automotive [Q101] Qualified ID = 75A S Description Specifically designed for Autom
irf3007pbf.pdf
PD -95618A IRF3007PbF Typical Applications HEXFET Power MOSFET l Industrial Motor Drive D Features VDSS = 75V l Ultra Low On-Resistance l 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.0126 l Fast Switching G l Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax l Lead-Free ID = 75A S Description This design of HEXFET Power MOSFETs utilizes the lastest processing techniques to achieve
Другие MOSFET... IPZA60R180P7 , IQE006NE2LM5 , IQE006NE2LM5CG , IRF1310NLPBF , IRF135SA204 , IRF150P220 , IRF150P221 , IRF200S234 , IRF830 , IRF300P226 , IRF3415LPBF , IRF3708LPBF , IRF40H233 , IRF520NSPBF , IRF530NLPBF , IRF5801PBF , IRF5802PBF .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E | ASD65R350E | ASD65R300E | ASD65R280E | ASD65R270E | ASD60R330E | ASD60R280E | ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E
Popular searches
2sb817 | mn2488 datasheet | c2026 transistor | 2n3903 transistor | 2n4360 | 2n2613 | c2166 transistor | 2sd330




