Справочник MOSFET. STD8N10L

 

STD8N10L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD8N10L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.33 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD8N10L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD8N10L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:590K  1
std8n10l std8n10l-1 std8n10lt4.pdfpdf_icon

STD8N10L

 7.1. Size:297K  1
std8n10-1 std8n10t4.pdfpdf_icon

STD8N10L

 7.2. Size:299K  st
std8n10.pdfpdf_icon

STD8N10L

This datasheet has been downloaded from http://www.digchip.com at this page

 9.1. Size:341K  1
std8n06-1 std8n06t4.pdfpdf_icon

STD8N10L

STD8N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD8N06 60 V

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: STP60N06

 

 
Back to Top

 


 
.