IRF530NLPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRF530NLPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: TO262
Аналог (замена) для IRF530NLPBF
IRF530NLPBF Datasheet (PDF)
irf530nspbf irf530nlpbf.pdf

PD - 95100IRF530NSPbFIRF530NLPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDVDSS = 100Vl Ultra Low On-Resistancel Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 90mGl Fast Switchingl Fully Avalanche RatedID = 17Al Lead-Free SDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achi
irf530nl.pdf

Isc N-Channel MOSFET Transistor IRF530NLFEATURESWith To-262 packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 100
irf530ns.pdf

PD - 91352AIRF530NS/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology DVDSS =100V Surface Mount (IRF530NS) Low-profile through-hole (IRF530NL) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.11G Fast Switching Fully Avalanche RatedID = 17ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processingtechniques to achieve extremely low o
irf530npbf.pdf

PD - 94962IRF530NPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyDl Ultra Low On-ResistanceVDSS = 100Vl Dynamic dv/dt Ratingl 175C Operating TemperatureRDS(on) = 90ml Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 17Al Lead-FreeSDescriptionAdvanced HEXFET Power MOSFETs from InternationalRectifier utilize advanced processing techniques to achieveextremel
Другие MOSFET... IRF150P221 , IRF200S234 , IRF3007LPBF , IRF300P226 , IRF3415LPBF , IRF3708LPBF , IRF40H233 , IRF520NSPBF , 2SK3918 , IRF5801PBF , IRF5802PBF , IRF5803PBF , IRF60DM206 , IRF6614PBF , IRF6616PBF , IRF6618PBF , IRF6620PBF .
History: FX20ASJ-06 | APT1002RBN | 2N7272H | FS20SM-5 | BR75N08
History: FX20ASJ-06 | APT1002RBN | 2N7272H | FS20SM-5 | BR75N08



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTLA3134K | JMTLA2N7002KS | JMTL850P04A | JMTL400N04A | JMTL3N10A | JMTL3416KS | JMTL3415KL | JMTL3407A | JMTL3406A | JMTL3404B | JMTL3404A | JMTL3402A | JMTL3401B | JMTL3400L | JMTL3400A | JMTC80N06A
Popular searches
c2166 transistor | 2sd330 | 20n60 | ksa1013 | mje15032g datasheet | 2sc2166 | 2sc5198 | 2sc1971