Справочник MOSFET. IRF7105PBF

 

IRF7105PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRF7105PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для IRF7105PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRF7105PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:302K  international rectifier
irf7105pbf.pdfpdf_icon

IRF7105PBF

PD - 95164IRF7105PbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Ultra Low On-ResistanceN-CHANNEL MOSFET1 8N-Ch P-ChS1 D1l Dual N and P Channel Mosfet2 7l Surface MountG1 D1VDSS 25V -25Vl Available in Tape & Reel3 6S2 D2l Dynamic dv/dt Rating45RDS(on) 0.10 0.25G2 D2l Fast SwitchingP-CHANNEL MOSFETl Lead-FreeTop ViewID 3.5A -2.3A

 0.1. Size:609K  international rectifier
irf7105pbf-1.pdfpdf_icon

IRF7105PBF

IRF7105TRPbF-1HEXFET Power MOSFETN-CHANNEL MOSFET1 8N-CH P-CH S1 D1VDS 25 -25 V 2 7G1 D1RDS(on) max 3 60.1 0.25 S2 D2(@V = 10V)GS45G2 D2Qg (typical) 9.4 10 nCP-CHANNEL MOSFETID 3.5 -2.3 A SO-8Top View(@T = 25C)AFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techn

 7.1. Size:607K  1
irf7105q.pdfpdf_icon

IRF7105PBF

PD - 96102BEND OF LIFEIRF7105QPbFHEXFET Power MOSFETN-CHANNEL MOSFETl Advanced Process Technology1 8 N-Ch P-ChS1 D1l Ultra Low On-Resistance2 7G1 D1l Dual N and P Channel MOSFETVDSS 25V -25Vl Surface Mount 3 6S2 D2l Available in Tape & Reel45RDS(on) 0.10 0.25G2 D2l 150C Operating TemperatureP-CHANNEL MOSFETl Lead-FreeTop ViewID 3.5A -2.3A

 7.2. Size:224K  international rectifier
irf7105.pdfpdf_icon

IRF7105PBF

PD - 9.1097CIRF7105HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology N-CHANNEL MOSFET1 8N-Ch P-ChS1 D1 Ultra Low On-Resistance2 7 Dual N and P Channel MosfetG1 D1VDSS 25V -25V Surface Mount3 6S2 D2 Available in Tape & Reel45RDS(on) 0.10 0.25G2 D2 Dynamic dv/dt RatingP-CHANNEL MOSFET Fast SwitchingTop ViewID 3.5A -2.3ADescriptionFourth Ge

Другие MOSFET... IRF6722MPBF , IRF6775MTRPBF , IRF6797MPBF , IRF6893MPBF , IRF6898MTRPBF , IRF7101PBF , IRF7103PBF , IRF7104PBF , P55NF06 , IRF7301PBF , JMTL2302A , JMTL3401A , JMTL3415K , G1L9N06 , JST100N30T2 , JST150N30T2 , JST180N30D5 .

History: DMG2307L | ME10N15-G | MMFTN3019E | STP18N60DM2 | WMN13N80M3 | STB9NK90Z | IPI100N08S2-07

 

 
Back to Top

 


 
.