8205S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: 8205S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 98.48 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
Тип корпуса: SOT23-6
Аналог (замена) для 8205S
8205S Datasheet (PDF)
8205a 8205s.pdf

8205-A20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 2.5V TSSOP-8/SOT-23-6 8205A/TSSOP-8 8205S/SOT-23-6 G1 NC G2654D1/D28 D1/D2S1D S2 S17 S2S16 S2G15 G2Drain123 N-Channel MOSFET Gate1Gate2So
8205s.pdf

SHENZHEN TUOFENG SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY CO.,LTDSOT-23-6 Plastic-Encapsulate MOSFETS 8205S Dual N-Channel MOSFET8205S V(BR)DSS RDS(on)MAX IDMax SOT-23-60.025 @ 4.5V20V5.0A0.033 @ 2.5VEquivalent CircuitFEATURE TrenchFET Power MOSFET Excellent RDS(on) Low Gate Charge High Power and Current Handing Capability Surface Mount Package MARKINGAPPLI
sl8205s.pdf

SL8205S Power MOSFET Dual N-Channel APPLIACTION FEATURES Portable Equipment 20V 5A N-channel Trench Mosfet Battery Powered System RDSON27m @Vgs=4.5V, Id=5A RDSON36m @Vgs=2.5V, Id=3A Low gate Charge Fast switching capability High reliability and rugged SYMBOL SOT-23-6ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Vo
jst8205s.pdf

JST8205S20V,4.8ADual N-Channel MosfetFEATURESSOT-23-6LRDS(ON) 21.5m @VGS=4.5VRDS(ON) 27.5m @VGS=2.5VAPPLICATIONSLoad Switch for Portable DevicesBattery ProtectionPower ManagementMARKING Dual N-CHANNEL MOSFETMaximum ratings (Ta=25 unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitDrain-Source Voltage VDS 20VGate-Source Voltage V 12GSI 4.8D
Другие MOSFET... JST3400 , JST3401 , JST3415C , JST4406 , JST4435 , JST60N30T2 , JST80N30T2A , JST8205S , 4435 , JSM2301S , JSM2302 , JSM3400 , JSM3401L , JSM3420 , JSM3420S , JSM4953 , JSM9435 .
History: JMSH1003NE | FDD45AN06LA0 | IRF1018EPBF | IPT60R022S7 | JMSH1018PE | STP4N150 | CS3N80BK
History: JMSH1003NE | FDD45AN06LA0 | IRF1018EPBF | IPT60R022S7 | JMSH1018PE | STP4N150 | CS3N80BK



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190 | APJ50N65T | APJ50N65P | APJ50N65F | APJ30N65T | APJ30N65P | APJ30N65F | AP65R650 | APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S
Popular searches
2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437