STE150N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STE150N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 320 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3600(max) pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: ISOTOP
STE150N10 Datasheet (PDF)
ste150n10.pdf

STE150N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGETYPE V R IDSS DS(on) DSTE150N10 100 V
ste15na100.pdf

STE15NA100N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTE15NA100 1000 V
ste15na100.pdf

STE15NA100N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTE15NA100 1000 V
Другие MOSFET... STD8N06T4 , STD8N10 , STD8N10-1 , STD8N10L , STD8N10L-1 , STD8N10LT4 , STD8N10T4 , STE100N20 , 2SK3878 , STE15N100 , STE16N100 , STE180N05 , STE180N10 , STE22N80 , STE24N90 , STE250N05 , STE250N06 .
History: BRD50N06
History: BRD50N06



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0613APD | JMSL0612PU | JMSL0612PPD | JMSL0612PP | JMSL0612PK | JMSL0612PGQ | JMSL0612PG | JMSL0612AUQ | JMSL0612AU | JMSL0612AKQ | JMSL0612AK | JMSL0612AGQ | JMSL0612AG | JMSL06120UQ | JMSL0611PUD | JMSL0611PU
Popular searches
c536 transistor | 2n706 | 2n388 | 2n3645 | 2n1307 | 2sa747 | a1941 | 2sd424 datasheet