STE150N10 - описание и поиск аналогов

 

STE150N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STE150N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 320 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3600(max) pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: ISOTOP

Аналог (замена) для STE150N10

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STE150N10 даташит

 ..1. Size:153K  1
 ste150n10.pdf pdf_icon

STE150N10

STE150N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGE TYPE V R I DSS DS(on) D STE150N10 100 V

 9.1. Size:64K  1
 ste15na100.pdf pdf_icon

STE150N10

STE15NA100 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STE15NA100 1000 V

 9.2. Size:259K  1
 ste15n100.pdf pdf_icon

STE150N10

 9.3. Size:80K  st
 ste15na100.pdf pdf_icon

STE150N10

STE15NA100 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE VDSS RDS(on) ID STE15NA100 1000 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STD8N06T4 , STD8N10 , STD8N10-1 , STD8N10L , STD8N10L-1 , STD8N10LT4 , STD8N10T4 , STE100N20 , 8205A , STE15N100 , STE16N100 , STE180N05 , STE180N10 , STE22N80 , STE24N90 , STE250N05 , STE250N06 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.