Справочник MOSFET. STE150N10

 

STE150N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STE150N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3600(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: ISOTOP
 

 Аналог (замена) для STE150N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STE150N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:153K  1
 ste150n10.pdf pdf_icon

STE150N10

STE150N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGETYPE V R IDSS DS(on) DSTE150N10 100 V

 9.1. Size:64K  1
 ste15na100.pdf pdf_icon

STE150N10

STE15NA100N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTE15NA100 1000 V

 9.2. Size:259K  1
 ste15n100.pdf pdf_icon

STE150N10

 9.3. Size:80K  st
 ste15na100.pdf pdf_icon

STE150N10

STE15NA100N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTE15NA100 1000 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STD8N06T4 , STD8N10 , STD8N10-1 , STD8N10L , STD8N10L-1 , STD8N10LT4 , STD8N10T4 , STE100N20 , 2SK3878 , STE15N100 , STE16N100 , STE180N05 , STE180N10 , STE22N80 , STE24N90 , STE250N05 , STE250N06 .

History: FDG8850NZ | AOTF474 | IRF130SMD05DSG

 

 
Back to Top

 


 
.