STE150N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: STE150N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 320 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3600(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: ISOTOP
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам