STE150N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STE150N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 320 nC
trⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 3600(max) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: ISOTOP
STE150N10 Datasheet (PDF)
..1. Size:153K 1
ste150n10.pdf
ste150n10.pdf
STE150N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGETYPE V R IDSS DS(on) DSTE150N10 100 V
9.1. Size:64K 1
ste15na100.pdf
ste15na100.pdf
STE15NA100N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTE15NA100 1000 V
9.3. Size:80K st
ste15na100.pdf
ste15na100.pdf
STE15NA100N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTE15NA100 1000 V
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
