Справочник MOSFET. SJMN60R15F

 

SJMN60R15F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SJMN60R15F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2181 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SJMN60R15F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:635K  kodenshi
 sjmn60r15f.pdf pdf_icon

SJMN60R15F

SJMN60R15F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =650V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.12 (Typ.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=62nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SJMN60R15F SJMN60R15 TO

 7.1. Size:642K  kodenshi
 sjmn60r38f.pdf pdf_icon

SJMN60R15F

SJMN60R38F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =650V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.34 (Typ.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SJMN60R38F SJMN60R38 TO

 8.1. Size:567K  1
 sjmn600r70f.pdf pdf_icon

SJMN60R15F

SJMN600R70F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =750V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SJMN600R70F N600R70 T

 8.2. Size:778K  auk
 sjmn600r60f.pdf pdf_icon

SJMN60R15F

SJMN600R60F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =650V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested G D S Ordering Information TO-220F-3L Part Number Marking Package SJMN600R60F N600R60 T

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: STD4NK60Z-1 | MC11N005 | IXFT21N50 | JCS5N50CT | NCEP026N10F | NVMFS5C628N | SI7913DN

 

 
Back to Top

 


 
.