SJMN60R15F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SJMN60R15F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 32 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 50 nC
Время нарастания (tr): 21 ns
Выходная емкость (Cd): 2181 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.15 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для SJMN60R15F
SJMN60R15F Datasheet (PDF)
sjmn60r15f.pdf
SJMN60R15F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =650V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.12 (Typ.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=62nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SJMN60R15F SJMN60R15 TO
sjmn60r38f.pdf
SJMN60R38F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =650V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.34 (Typ.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=20nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SJMN60R38F SJMN60R38 TO
sjmn600r70f.pdf
SJMN600R70F Super Junction MOSFET N-Channel Super Junction MOSFET Features Drain-Source voltage: V =750V (@T =150C) DS J Low drain-source On resistance: R =0.6 (Max.) DS(on) Ultra low gate charge: Qg=13.5nC(Typ.) RoHS compliant device 100% avalanche tested Ordering Information G D S Part Number Marking Package TO-220F-3L SJMN600R70F N600R70 T
Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , 7N60 , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .