Справочник MOSFET. ME110N10F

 

ME110N10F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME110N10F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 217 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 140 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 130 nC
   trⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 943 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME110N10F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:705K  matsuki electric
 me110n10t me110n10f.pdf pdf_icon

ME110N10F

ME110N10T/ME110N10FN-Channel 100-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)6.2m@VGS=10V The ME110N10T and ME110N10F is the N-Channel logic enhancement Super high density cell design for extremely low RDS(ON) mode power field effect transistors, using high cell density, DMOS Exceptional on-resistance and maximum DC current trench technology. This h

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: 12N25 | AM2358N

 

 
Back to Top

 


 
.