Справочник MOSFET. ME20P06-G

 

ME20P06-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME20P06-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 22 nC
   trⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.078 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для ME20P06-G

 

 

ME20P06-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1338K  matsuki electric
 me20p06 me20p06-g.pdf

ME20P06-G ME20P06-G

ME20P06/ME20P06-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME20P06 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)78m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)100m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low

 7.1. Size:828K  cn vbsemi
 me20p06.pdf

ME20P06-G ME20P06-G

ME20P06www.VBsemi.twP-Channel 60-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ) 100 % UIS Tested0.061 at VGS = - 10 V - 30APPLICATIONS- 60 100.072 at VGS = - 4.5 V - 26 Load SwitchSTO-252GG D STop ViewDP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C, unless otherwise notedParameter Symbo

 8.1. Size:1673K  matsuki electric
 me20p03 me20p03-g.pdf

ME20P06-G ME20P06-G

ME20P03/ME20P03-G P- Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME20P03 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON)32m@VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON)42m@VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low

 8.2. Size:837K  cn vbsemi
 me20p03.pdf

ME20P06-G ME20P06-G

ME20P03www.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.033 at VGS = - 10 V - 26 100 % Rg TestedRoHS- 30 19 nCCOMPLIANT 100 % UIS Tested0.046 at VGS = - 4.5 V - 21APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor SwitchSTO-252GG D SDTop ViewP-Cha

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top