Справочник MOSFET. IRF7324PBF

 

IRF7324PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF7324PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   trⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 630 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для IRF7324PBF

 

 

IRF7324PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:164K  infineon
 irf7324pbf.pdf

IRF7324PBF IRF7324PBF

PD - 95460IRF7324PbFHEXFET Power MOSFET Trench Technology Ultra Low On-Resistance 1 8S1 D1VDSS = -20V Dual P-Channel MOSFET2 7G1 D1 Low Profile (

 0.1. Size:185K  international rectifier
 irf7324pbf-1.pdf

IRF7324PBF IRF7324PBF

IRF7324TRPbF-1HEXFET Power MOSFETVDS -20 V1 8RDS(on) max S1 D10.018 2 7(@V = -4.5V)GSG1 D1Qg (typical) 42 nC3 6S2 D2ID 4 5-9.0 AG2 D2(@T = 25C)ASO-8Top ViewFeatures BenefitsIndustry-standard pinout SO-8 Package Multi-Vendor CompatibilityCompatible with Existing Surface Mount Techniques Easier ManufacturingRoHS Compliant, Halogen-Free En

 7.1. Size:99K  international rectifier
 irf7324.pdf

IRF7324PBF IRF7324PBF

PD -93799AIRF7324HEXFET Power MOSFET Trench Technology Ultra Low On-Resistance 1 8S1 D1VDSS = -20V Dual P-Channel MOSFET2 7G1 D1 Low Profile (

 7.2. Size:134K  international rectifier
 irf7324d1pbf.pdf

IRF7324PBF IRF7324PBF

PD-95309AIRF7324D1PbFFETKY MOSFET / Schottky Diodel Co-packaged HEXFET Power1 8A KMOSFET and Schottky DiodeVDSS = -20V2 7l Ideal for Mobile Phone Applications A Kl Generation V Technology3 6S DRDS(on) = 0.27l SO-8 Footprint45G Dl Lead-FreeSchottky Vf = 0.39VTop ViewDescriptionThe FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer

 7.3. Size:210K  international rectifier
 irf7324d1.pdf

IRF7324PBF IRF7324PBF

PD- 91789IRF7324D1PRELIMINARY FETKY MOSFET / Schottky Diode Co-packaged HEXFET Power1 8A KMOSFET and Schottky DiodeVDSS = -20V2 7 Ideal for Mobile Phone Applications A K Generation V Technology3 6S DRDS(on) = 0.18 SO-8 Footprint45G DSchottky Vf = 0.39VTop ViewDescriptionThe FETKYTM family of co-packaged HEXFETs and Schottk

 7.4. Size:1183K  cn vbsemi
 irf7324tr.pdf

IRF7324PBF IRF7324PBF

IRF7324TRwww.VBsemi.twDual P-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.018 at VGS = - 4.5 V- 8.9 TrenchFET Power MOSFET0.022 at VGS = - 2.5 V- 20 - 8.1 Advanced High Cell Density Process0.030 at VGS = - 1.8 V- 3.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top