STE250N05 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STE250N05
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 450 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 250 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 300 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 10000 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: ISOTOP
Аналог (замена) для STE250N05
STE250N05 Datasheet (PDF)
6.1. Size:330K 1
ste250n06.pdf
ste250n06.pdf
STE250N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGETYPE VDSS RDS(on) IDSTE250N06 60 V
7.1. Size:332K st
ste250ns10.pdf
ste250ns10.pdf
STE250NS10N-channel 100 V, 0.0045 , 220 A, ISOTOPSTripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTE250NS10 100 V
Другие MOSFET... STE100N20 , STE150N10 , STE15N100 , STE16N100 , STE180N05 , STE180N10 , STE22N80 , STE24N90 , SKD502T , STE250N06 , STE26N50 , STE26NA90 , STE36N50 , STE36N50-DA , STE36N50-DK , STE38N60 , STE38NA50 .
History: FDB8860F085 | FDB8832F085
History: FDB8860F085 | FDB8832F085
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP80P06D | AP80P04NF | AP80P04D | AP80N07F | AP80N07D | AP80N06NF | AP80N04DF | AP80N04D | AP80N03NF | AP80N03DF | AP80N03D | AP80N02NF | AP80N02DF | AP7P15Y | AP7P15D | APG130N06NF
Popular searches
2sd424 datasheet | 2sc536 datasheet | bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g