Справочник MOSFET. IRF9952PBF

 

IRF9952PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRF9952PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1(min) V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 8.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для IRF9952PBF

 

 

IRF9952PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:224K  infineon
 irf9952pbf.pdf

IRF9952PBF IRF9952PBF

PD - 95135IRF9952PbFHEXFET Power MOSFETl Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFET1 8N-Ch P-ChS1 D1l Ultra Low On-Resistance2 7l Dual N and P Channel MOSFETG1 D1l Surface Mount VDSS 30V -30V3 6S2 D2l Very Low Gate Charge and4 5G2 D2Switching LossesP-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.10 0.25l Fully Avalanche RatedTop Viewl Lead-FreeRecommended upgrade:

 7.1. Size:324K  1
 auirf9952q.pdf

IRF9952PBF IRF9952PBF

AUTOMOTIVE GRADE AUIRF9952Q Features N-CHANNEL MOSFET Advanced Planar Technology N-CH P-CH1 8S1 D1 Low On-Resistance 2 7G1 D1 Logic Level Gate Drive VDSS 30V -30V3 6S2 D2 Dual N and P Channel MOSFET 45G2 D2RDS(on) max. 0.10 0.25 Dynamic dv/dt Rating P-CHANNEL MOSFET 150C Operating Temperature Top ViewID 3.5A -2.3A

 7.2. Size:134K  international rectifier
 irf9952.pdf

IRF9952PBF IRF9952PBF

PD - 9.1561AIRF9952PRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Generation V TechnologyN-CHANNEL MOSFE T1 8 N-Ch P-ChS1 D1 Ultra Low On-Resistance2 7 Dual N and P Channel MOSFETG1 D1 Surface Mount VDSS 30V -30V3 6S2 D2 Very Low Gate Charge and4 5G2 D2Switching LossesP -CH AN N EL M OSFETRDS(on) 0.10 0.25 Fully Avalanche RatedT op V iewRecommended upgrade:

 7.3. Size:280K  international rectifier
 irf9952qpbf.pdf

IRF9952PBF IRF9952PBF

PD - 96115IRF9952QPbFHEXFET Power MOSFETl Advanced Process TechnologyN-CHANNEL MOSFETl Ultra Low On-Resistance 1 8N-Ch P-ChS1 D1l Dual N and P Channel MOSFET2 7G1 D1l Surface MountVDSS 30V -30V3 6l Available in Tape & ReelS2 D2l 150C Operating Temperature4 5G2 D2l Automotive [Q101] QualifiedP-CHANNEL MOSFETRDS(on) 0.10 0.25l Lead-FreeTop V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , STP80NF70 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 

Back to Top