Справочник MOSFET. STE36N50

 

STE36N50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STE36N50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 107 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1800(max) pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: ISOTOP
 

 Аналог (замена) для STE36N50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STE36N50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:252K  1
 ste36n50.pdf pdf_icon

STE36N50

 0.1. Size:25K  1
 ste24n90 ste36n50-da ste36n50-dk ste38n60 ste38na50 ste45n50 ste50n40 ste90n25.pdf pdf_icon

STE36N50

TRANSISTORSPOWER MODULESBIPOLAR IN ISOTOPFor other conf.VCEO VCEV IC Ptot VCE (sat) @IC / IB ts* tf*Conf. Type(V) (V) (A) (W) (V) (A) (A) (s) (s)D ESM2012DV 125 150 120 175 2 100 1 0.9 0.15A BUT30V 125 200 100 250 1.5 100 10 1.0 0.1B BUT230V 125 200 200 300 1.9 200 20 1.0 0.1A BUT32V 300 400 80 250 1.9 40 4 1.9 0.12D ESM2030DV 300 400 67 150 2.2 56 1.6 2.0 0.35B BUT2

 0.2. Size:155K  1
 ste36n50a.pdf pdf_icon

STE36N50

STE36N50AN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGETYPE V R IDSS DS(on) DSTE36N50A 500 V

Другие MOSFET... STE180N05 , STE180N10 , STE22N80 , STE24N90 , STE250N05 , STE250N06 , STE26N50 , STE26NA90 , 5N60 , STE36N50-DA , STE36N50-DK , STE38N60 , STE38NA50 , STE40N55 , STE45N50 , STE47N50 , STE50N40 .

History: MTNK1S3

 

 
Back to Top

 


 
.