STE36N50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STE36N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 410 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 107 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1800(max) pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
Тип корпуса: ISOTOP
Аналог (замена) для STE36N50
STE36N50 Datasheet (PDF)
ste24n90 ste36n50-da ste36n50-dk ste38n60 ste38na50 ste45n50 ste50n40 ste90n25.pdf
TRANSISTORSPOWER MODULESBIPOLAR IN ISOTOPFor other conf.VCEO VCEV IC Ptot VCE (sat) @IC / IB ts* tf*Conf. Type(V) (V) (A) (W) (V) (A) (A) (s) (s)D ESM2012DV 125 150 120 175 2 100 1 0.9 0.15A BUT30V 125 200 100 250 1.5 100 10 1.0 0.1B BUT230V 125 200 200 300 1.9 200 20 1.0 0.1A BUT32V 300 400 80 250 1.9 40 4 1.9 0.12D ESM2030DV 300 400 67 150 2.2 56 1.6 2.0 0.35B BUT2
ste36n50a.pdf
STE36N50AN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTOR IN ISOTOP PACKAGETYPE V R IDSS DS(on) DSTE36N50A 500 V
Другие MOSFET... STE180N05 , STE180N10 , STE22N80 , STE24N90 , STE250N05 , STE250N06 , STE26N50 , STE26NA90 , 5N60 , STE36N50-DA , STE36N50-DK , STE38N60 , STE38NA50 , STE40N55 , STE45N50 , STE47N50 , STE50N40 .
History: 2SJ197 | IRFB41N15D | FDS3692 | 2SK1009-01
History: 2SJ197 | IRFB41N15D | FDS3692 | 2SK1009-01
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI13N50C | SLH95R130GTZ | SLH65R180E7C | SLH60R075GTDI | SLH60R043E7D | SLH10RN20T | SLF95R760GTZ | SLF16N65S | SLF12N65SV | SLF10N65SV | SLE65R1K2E7 | SLD95R3K2GTZ | SLD90N03TB | SLD90N02TB | SLD8N65SV | SLD8N50UD
Popular searches
irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m | 2sc1213 | a1491 transistor