IRFP140NPBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFP140NPBF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: TO-247AC

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFP140NPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP140NPBF даташит

 ..1. Size:348K  international rectifier
 irfp140npbf.pdf pdf_icon

IRFP140NPBF

PD- 95711 IRFP140NPbF Lead-Free www.irf.com 1 8/2/04 IRFP140NPbF 2 www.irf.com IRFP140NPbF www.irf.com 3 IRFP140NPbF 4 www.irf.com IRFP140NPbF www.irf.com 5 IRFP140NPbF 6 www.irf.com IRFP140NPbF www.irf.com 7 IRFP140NPbF TO-247AC Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) TO-247AC Part Marking Information EXAMPLE T HIS IS AN IRFPE30 WITH ASSEM

 6.1. Size:158K  international rectifier
 irfp140n.pdf pdf_icon

IRFP140NPBF

PD - 91343B IRFP140N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 100V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.052 Fully Avalanche Rated G ID = 33A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. Thi

 6.2. Size:2133K  cn vbsemi
 irfp140n.pdf pdf_icon

IRFP140NPBF

IRFP140N www.VBsemi.tw N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature RoHS 0.035 at VGS = 10 V 100 50a COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg Tested APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters D TO-247AC G S D G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RAT

 6.3. Size:241K  inchange semiconductor
 irfp140n.pdf pdf_icon

IRFP140NPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP140N IIRFP140N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 52m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Fast switching Fully Avalanche Rated ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFH8202TRPBF, IRFH8303PBF, IRFH8311PBF, IRFH8324PBF, IRFHM792PBF, IRFHM8326PBF, IRFHM8329PBF, IRFI7446GPBF, IRF1407, IRFR3707ZPBF, IRFS23N15DPBF, IRFS31N20DP, IRFSL23N20DPBF, IRFSL31N20DP, IRFSL33N15DPBF, IRFSL41N15DPBF, IRFSL52N15DPBF