IRFP140NPBF - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFP140NPBF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFP140NPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 33 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 39 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm
   Тип корпуса: TO-247AC

 Аналог (замена) для IRFP140NPBF

 

IRFP140NPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:348K  international rectifier
 irfp140npbf.pdf pdf_icon

IRFP140NPBF

PD- 95711 IRFP140NPbF Lead-Free www.irf.com 1 8/2/04 IRFP140NPbF 2 www.irf.com IRFP140NPbF www.irf.com 3 IRFP140NPbF 4 www.irf.com IRFP140NPbF www.irf.com 5 IRFP140NPbF 6 www.irf.com IRFP140NPbF www.irf.com 7 IRFP140NPbF TO-247AC Package Outline Dimensions are shown in millimeters (inches) TO-247AC Part Marking Information EXAMPLE T HIS IS AN IRFPE30 WITH ASSEM

 6.1. Size:158K  international rectifier
 irfp140n.pdf pdf_icon

IRFP140NPBF

PD - 91343B IRFP140N HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D Dynamic dv/dt Rating VDSS = 100V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 0.052 Fully Avalanche Rated G ID = 33A S Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. Thi

 6.2. Size:2133K  cn vbsemi
 irfp140n.pdf pdf_icon

IRFP140NPBF

IRFP140N www.VBsemi.tw N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET V(BR)DSS (V) rDS(on) ( )ID (A) 175 C Junction Temperature RoHS 0.035 at VGS = 10 V 100 50a COMPLIANT Low Thermal Resistance Package 100 % Rg Tested APPLICATIONS Isolated DC/DC Converters D TO-247AC G S D G S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RAT

 6.3. Size:241K  inchange semiconductor
 irfp140n.pdf pdf_icon

IRFP140NPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFP140N IIRFP140N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 52m Enhancement mode 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Fast switching Fully Avalanche Rated ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFH8202TRPBF , IRFH8303PBF , IRFH8311PBF , IRFH8324PBF , IRFHM792PBF , IRFHM8326PBF , IRFHM8329PBF , IRFI7446GPBF , IRF1407 , IRFR3707ZPBF , IRFS23N15DPBF , IRFS31N20DP , IRFSL23N20DPBF , IRFSL31N20DP , IRFSL33N15DPBF , IRFSL41N15DPBF , IRFSL52N15DPBF .

 

 
Back to Top

 


 
.