IRFU3504ZPBF. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: IRFU3504ZPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 74 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 340 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для IRFU3504ZPBF
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
IRFU3504ZPBF даташит
irfr3504zpbf irfu3504zpbf.pdf
PD - 95521B IRFR3504ZPbF IRFU3504ZPbF HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 40V 175 C Operating Temperature Fast Switching RDS(on) = 9.0m Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax G Lead-Free ID = 42A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-re
irfu3504z.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU3504Z FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U
irfr3505pbf irfu3505pbf.pdf
PD - 95511B IRFR3505PbF IRFU3505PbF HEXFET Power MOSFET Features Advanced Process Technology D Ultra Low On-Resistance VDSS = 55V 175 C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 0.013 G Lead-Free ID = 30A S Description This HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resis
irfu3505p.pdf
IRFU3505P www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.011 at VGS = 10 V 55 Material categorization 60 0.012 at VGS = 4.5 V 47 TO-251 D G S N-Channel MOSFET G D S Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbo
Другие MOSFET... IRFSL33N15DPBF , IRFSL41N15DPBF , IRFSL52N15DPBF , IRFSL59N10DPBF , IRFU18N15DPBF , IRFU2407PBF , IRFU24N15DPBF , IRFU3303PBF , 8N60 , IRFU3710Z-701PBF , IRFU3710ZPBF , IRFZ44ELPBF , IRFZ44VZLPBF , IRFZ48NSPBF , IRFZ48VPBF , IRL1404ZLPBF , IRL1404ZSPBF .
History: IRFH7545PBF
History: IRFH7545PBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASB80R750E | ASB70R380E | ASB65R300E | ASB65R220E | ASB65R120EFD | ASB60R150E | ASA80R900E | ASA80R750E | ASA80R290E | ASA70R950E | ASA70R600E | ASA70R380E | ASA70R240E | ASA65R850E | ASA65R550E | ASA65R350E
Popular searches
2n3640 | tta1943 transistor | fb4410z | 2sa899 | 2sc1166 | jcs9n50fc datasheet | 2n2147 | 2sc870



