IRFU3504ZPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRFU3504ZPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 42 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
Время нарастания (tr): 74 ns
Выходная емкость (Cd): 340 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO251
Аналог (замена) для IRFU3504ZPBF
IRFU3504ZPBF Datasheet (PDF)
irfr3504zpbf irfu3504zpbf.pdf
PD - 95521BIRFR3504ZPbFIRFU3504ZPbFHEXFET Power MOSFETFeatures Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 40V 175C Operating Temperature Fast SwitchingRDS(on) = 9.0m Repetitive Avalanche Allowed up to TjmaxG Lead-FreeID = 42ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latestprocessing techniques to achieve extremely lowon-re
irfu3504z.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU3504ZFEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE U
irfr3505pbf irfu3505pbf.pdf
PD - 95511BIRFR3505PbFIRFU3505PbFHEXFET Power MOSFETFeatures Advanced Process TechnologyD Ultra Low On-ResistanceVDSS = 55V 175C Operating Temperature Fast Switching Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax RDS(on) = 0.013G Lead-FreeID = 30ASDescriptionThis HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processingtechniques to achieve extremely low on-resis
irfu3505p.pdf
IRFU3505Pwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY 175 C Junction TemperatureVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a TrenchFET Power MOSFET0.011 at VGS = 10 V 55 Material categorization:600.012 at VGS = 4.5 V 47TO-251DGSN-Channel MOSFETG D STop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)Parameter Symbo
irfu3505.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU3505FEATURESWith TO-251(IPAK) packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UN
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
