IRL2505LPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRL2505LPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 104 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 160 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
Тип корпуса: TO-262
IRL2505LPBF Datasheet (PDF)
irl2505spbf irl2505lpbf.pdf

PD - 95577IRL2505LPbFIRL2505SPbFl Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRL2505S) DVDSS = 55Vl Low-profile through-hole (IRL2505L)l 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 104Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierut
irl2505lpbf irl2505spbf.pdf

PD - 95577IRL2505LPbFIRL2505SPbFl Logic-Level Gate DriveHEXFET Power MOSFETl Advanced Process Technologyl Surface Mount (IRL2505S) DVDSS = 55Vl Low-profile through-hole (IRL2505L)l 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008l Fast SwitchingGl Fully Avalanche RatedID = 104Al Lead-FreeSDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierut
irl2505s irl2505l.pdf

PD - 91326DIRL2505S/LHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Surface Mount (IRL2505S) Low-profile through-hole (IRL2505L) 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 104A DescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniqu
irl2505.pdf

PD - 91325CIRL2505HEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate Drive Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175C Operating TemperatureRDS(on) = 0.008 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 104A SDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilizeadvanced processing techniques to achieve extre
Другие MOSFET... IRFU3710Z-701PBF , IRFU3710ZPBF , IRFZ44ELPBF , IRFZ44VZLPBF , IRFZ48NSPBF , IRFZ48VPBF , IRL1404ZLPBF , IRL1404ZSPBF , STP65NF06 , IRL2910LPBF , IRL40B209 , IRL40T209 , IRL530NPBF , IRL540NLPBF , IRL60HS118 , IRL60SC216 , IRL80HS120 .
History: LNH04R165 | R6046FNZ1 | NCE3025Q
History: LNH04R165 | R6046FNZ1 | NCE3025Q



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ11DN10A | JMTQ100P03A | JMTQ100N04A | JMTQ100N03D | JMTQ100N03A | JMTK90N02A | JMTK80N06A | JMTK75N02A | JMTK70N07A | JMTK60N04B | JMTK58N06B | JMTK50P03A | JMTK50P02A | JMTK50N06B | JMTK50N03A | JMTK500N10A
Popular searches
d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement