Справочник MOSFET. IRL40B209

 

IRL40B209 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRL40B209
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 375 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 195 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 198 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1990 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00125 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL40B209 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:540K  international rectifier
irl40b209.pdfpdf_icon

IRL40B209

StrongIRFET IRL40B209 HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 40V BLDC Motor drive applications DBattery powered circuits RDS(on) typ. 1.0m Half-bridge and full-bridge topologies max 1.25m Synchronous rectifier applications GID (Silicon Limited) 414A Resonant mode power supplies

 7.1. Size:618K  international rectifier
irl40b212 irl40s212.pdfpdf_icon

IRL40B209

StrongIRFET IRL40B212 IRL40S212 HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 40V BLDC Motor drive applications DBattery powered circuits RDS(on) typ. 1.5m Half-bridge and full-bridge topologies max 1.9m Synchronous rectifier applications GID (Silicon Limited) 254A Resonant mode powe

 7.2. Size:542K  international rectifier
irl40b215.pdfpdf_icon

IRL40B209

StrongIRFET IRL40B215 HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 40V D BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 2.2mBattery powered circuits max 2.7m Half-bridge and full-bridge topologies G Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 164A Resonant mode power suppli

 7.3. Size:245K  inchange semiconductor
irl40b212.pdfpdf_icon

IRL40B209

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IRL40B212IIRL40B212FEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on) 1.9mEnhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONreliable device for use in a wide variety of applicationsABSOLUTE MAXIM

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.