IRL60HS118 - описание и поиск аналогов

 

IRL60HS118. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRL60HS118

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: PQFN2X2

Аналог (замена) для IRL60HS118

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL60HS118 даташит

 ..1. Size:1078K  infineon
irl60hs118.pdfpdf_icon

IRL60HS118

IRL60HS118 Typical values (unless otherwise specified) Target Applications Wireless charging V V R (max ) DSS GS DS(on) . Adapter 60V min. 20V max 17m @ 10V Telecom Q Q V g tot gd gs(th) 5.3nC 2.1nC 1.7V Benefits Top View Higher power density designs Higher switching frequency D 1 6 D Uses OptiMOSTM5 Chip Reduced parts count

 9.1. Size:692K  international rectifier
irl60b216.pdfpdf_icon

IRL60HS118

StrongIRFET IRL60B216 HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 60V D BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 1.5m Battery powered circuits max 1.9m Half-bridge and full-bridge topologies G Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 305A Resonant mode power suppli

 9.2. Size:972K  infineon
irl60sc216.pdfpdf_icon

IRL60HS118

IRL60SC216 MOSFET D -PAK 7pin IR MOSFET - StrongIRFET Features tab Very low R DS(on) Optimized for logic level drive High current carrying capability 175 C operating temperature 7 Optimized for broadest availability from distribution partners 6 5 4 3 2 1 Benefits Reduced conduction losses Increased power density Increased reliability vers

 9.3. Size:692K  infineon
irl60s216 irl60sl216.pdfpdf_icon

IRL60HS118

IR MOSFET StrongIRFET IRL60S216 IRL60SL216 HEXFET Power MOSFET Application Brushed Motor drive applications VDSS 60V D BLDC Motor drive applications RDS(on) typ. 1.6m Battery powered circuits Half-bridge and full-bridge topologies max 1.95m G Synchronous rectifier applications ID (Silicon Limited) 298A R

Другие MOSFET... IRL1404ZLPBF , IRL1404ZSPBF , IRL2505LPBF , IRL2910LPBF , IRL40B209 , IRL40T209 , IRL530NPBF , IRL540NLPBF , K2611 , IRL60SC216 , IRL80HS120 , IRLI530NPBF , IRLU9343-701PBF , ISP12DP06NM , ISP25DP06LM , ISP25DP06LMS , ISP25DP06NM .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.