Справочник MOSFET. IRL80HS120

 

IRL80HS120 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRL80HS120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: PQFN2X2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL80HS120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1078K  infineon
 irl80hs120.pdf pdf_icon

IRL80HS120

IRL80HS120 Typical values (unless otherwise specified) Target Applications Wireless charging V V R (max )DSS GS DS(on) . Adapter 80V min. 20V max 32m@ 10V Telecom Q Q V g tot gd gs(th)4.7nC 1.8nC 1.7V Benefits Top View Higher power density designs Higher switching frequency D 1 6 D Uses OptiMOSTM5 Chip Reduced parts count w

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BSB013NE2LXI | FDG6320C | NCEAP016N10LL | STB10NK60ZT4 | SI7413DN | BUK455-100B | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.