IRL80HS120 - описание и поиск аналогов

 

IRL80HS120. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRL80HS120

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: PQFN2X2

Аналог (замена) для IRL80HS120

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL80HS120 даташит

 ..1. Size:1078K  infineon
 irl80hs120.pdf pdf_icon

IRL80HS120

IRL80HS120 Typical values (unless otherwise specified) Target Applications Wireless charging V V R (max ) DSS GS DS(on) . Adapter 80V min. 20V max 32m @ 10V Telecom Q Q V g tot gd gs(th) 4.7nC 1.8nC 1.7V Benefits Top View Higher power density designs Higher switching frequency D 1 6 D Uses OptiMOSTM5 Chip Reduced parts count w

Другие MOSFET... IRL2505LPBF , IRL2910LPBF , IRL40B209 , IRL40T209 , IRL530NPBF , IRL540NLPBF , IRL60HS118 , IRL60SC216 , RU7088R , IRLI530NPBF , IRLU9343-701PBF , ISP12DP06NM , ISP25DP06LM , ISP25DP06LMS , ISP25DP06NM , ISP75DP06LM , ISS17EP06LM .

History: APQ4ESN65AF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.