Справочник MOSFET. IRL80HS120

 

IRL80HS120 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRL80HS120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 4.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: PQFN2X2

 Аналог (замена) для IRL80HS120

 

 

IRL80HS120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1078K  infineon
 irl80hs120.pdf

IRL80HS120 IRL80HS120

IRL80HS120 Typical values (unless otherwise specified) Target Applications Wireless charging V V R (max )DSS GS DS(on) . Adapter 80V min. 20V max 32m@ 10V Telecom Q Q V g tot gd gs(th)4.7nC 1.8nC 1.7V Benefits Top View Higher power density designs Higher switching frequency D 1 6 D Uses OptiMOSTM5 Chip Reduced parts count w

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top