Справочник MOSFET. IRL80HS120

 

IRL80HS120 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRL80HS120
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 11.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: PQFN2X2
 

 Аналог (замена) для IRL80HS120

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRL80HS120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1078K  infineon
 irl80hs120.pdf pdf_icon

IRL80HS120

IRL80HS120 Typical values (unless otherwise specified) Target Applications Wireless charging V V R (max )DSS GS DS(on) . Adapter 80V min. 20V max 32m@ 10V Telecom Q Q V g tot gd gs(th)4.7nC 1.8nC 1.7V Benefits Top View Higher power density designs Higher switching frequency D 1 6 D Uses OptiMOSTM5 Chip Reduced parts count w

Другие MOSFET... IRL2505LPBF , IRL2910LPBF , IRL40B209 , IRL40T209 , IRL530NPBF , IRL540NLPBF , IRL60HS118 , IRL60SC216 , MMD60R360PRH , IRLI530NPBF , IRLU9343-701PBF , ISP12DP06NM , ISP25DP06LM , ISP25DP06LMS , ISP25DP06NM , ISP75DP06LM , ISS17EP06LM .

 

 
Back to Top

 


 
.