IRLI530NPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRLI530NPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 16 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 53 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO-220FP
Аналог (замена) для IRLI530NPBF
IRLI530NPBF Datasheet (PDF)
irli530npbf.pdf

IRLI530NPbF Logic Level Gate Drive HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology Isolated Package VDSS 100V High Voltage Isolation = 2.5KVRMS RDS(on) 0.10 Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mm Fully Avalanche Rated ID 12A Lead-Free Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing tec
irli530npbf.pdf

IRLI530NPBFwww.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Isolated PackageVDS (V) 100 High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;RDS(on) ()VGS = 10 V 0.086 f = 60 Hz)RoHS Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mmQg (Max.) (nC) 72COMPLIANT 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 11 Dynamic dV/dt RatingQgd (nC) 32 Low Thermal R
irli530n.pdf

PD - 9.1350BIRLI530NPRELIMINARYHEXFET Power MOSFET Logic-Level Gate DriveD Advanced Process TechnologyVDSS = 100V Isolated Package High Voltage Isolation = 2.5KVRMS RDS(on) = 0.10 Sink to Lead Creepage Dist. = 4.8mmG Fully Avalanche RatedID = 12ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to ach
Другие MOSFET... IRL2910LPBF , IRL40B209 , IRL40T209 , IRL530NPBF , IRL540NLPBF , IRL60HS118 , IRL60SC216 , IRL80HS120 , 2N7002 , IRLU9343-701PBF , ISP12DP06NM , ISP25DP06LM , ISP25DP06LMS , ISP25DP06NM , ISP75DP06LM , ISS17EP06LM , ISZ019N03L5S .
History: KHB9D0N90NA | PSMN5R6-100BS | VIS30019 | WML90R260S | JFFC13N65D | MMBT7002W | SUP60N06-18
History: KHB9D0N90NA | PSMN5R6-100BS | VIS30019 | WML90R260S | JFFC13N65D | MMBT7002W | SUP60N06-18



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48 | bf494 transistor equivalent | 2sc458 pinout | bc183l | tip35 datasheet