ISS17EP06LM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ISS17EP06LM
Маркировка: DL
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.36 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 1.79 nC
Время нарастания (tr): 3 ns
Выходная емкость (Cd): 9 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.7 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для ISS17EP06LM
ISS17EP06LM Datasheet (PDF)
..1. Size:1142K infineon
iss17ep06lm.pdf
iss17ep06lm.pdf
ISS17EP06LMMOSFETSOT-23OptiMOSTM Small Signal Transistor, -60 V3Features P-Channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS 100% avalanche tested Logic Level1 Enhancement mode Pb-free lead plating; RoHS compliant2 Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial ApplicationsDra
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
