Справочник MOSFET. ISS17EP06LM

 

ISS17EP06LM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ISS17EP06LM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для ISS17EP06LM

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ISS17EP06LM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1142K  infineon
 iss17ep06lm.pdf pdf_icon

ISS17EP06LM

ISS17EP06LMMOSFETSOT-23OptiMOSTM Small Signal Transistor, -60 V3Features P-Channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS 100% avalanche tested Logic Level1 Enhancement mode Pb-free lead plating; RoHS compliant2 Halogen-free according to IEC61249-2-21Product validationFully qualified according to JEDEC for Industrial ApplicationsDra

Другие MOSFET... IRL80HS120 , IRLI530NPBF , IRLU9343-701PBF , ISP12DP06NM , ISP25DP06LM , ISP25DP06LMS , ISP25DP06NM , ISP75DP06LM , IRFZ44N , ISZ019N03L5S , ISZ040N03L5IS , ISZ0501NLS , ISZ065N03L5S , ISZ0901NLS , SIHFP450A , SIHFP450LC , SIHFP460LC .

History: ALD1116DA

 

 
Back to Top

 


 
.