ISS17EP06LM - описание и поиск аналогов

 

ISS17EP06LM. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ISS17EP06LM

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.7 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для ISS17EP06LM

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ISS17EP06LM даташит

 ..1. Size:1142K  infineon
 iss17ep06lm.pdf pdf_icon

ISS17EP06LM

ISS17EP06LM MOSFET SOT-23 OptiMOSTM Small Signal Transistor, -60 V 3 Features P-Channel Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS 100% avalanche tested Logic Level 1 Enhancement mode Pb-free lead plating; RoHS compliant 2 Halogen-free according to IEC61249-2-21 Product validation Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications Dra

Другие MOSFET... IRL80HS120 , IRLI530NPBF , IRLU9343-701PBF , ISP12DP06NM , ISP25DP06LM , ISP25DP06LMS , ISP25DP06NM , ISP75DP06LM , IRFZ44N , ISZ019N03L5S , ISZ040N03L5IS , ISZ0501NLS , ISZ065N03L5S , ISZ0901NLS , SIHFP450A , SIHFP450LC , SIHFP460LC .

History: WML10N65D1B | WML10N70D1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.