Справочник MOSFET. ME2345A-G

 

ME2345A-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME2345A-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.4 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 12 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 3.6 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 9 nC
   Время нарастания (tr): 23 ns
   Выходная емкость (Cd): 70 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.068 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23

 Аналог (замена) для ME2345A-G

 

 

ME2345A-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1339K  matsuki electric
 me2345a me2345a-g.pdf

ME2345A-G ME2345A-G

ME2345A/ME2345A-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2345A is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 68m@VGS=-10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 80m@VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 100m@VGS=-2.5Vminimize on-state res

 7.1. Size:1253K  matsuki electric
 me2345as me2345as-g.pdf

ME2345A-G ME2345A-G

ME2345AS/ME2345AS-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2345AS is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 65m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 75m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 105m@VGS=-2.5V minimize on-s

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 13N50 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IPP06CN10LG | IPP05CN10N

 

 
Back to Top