Справочник MOSFET. ME2345A-G

 

ME2345A-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME2345A-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для ME2345A-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME2345A-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1339K  matsuki electric
 me2345a me2345a-g.pdf pdf_icon

ME2345A-G

ME2345A/ME2345A-G P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2345A is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 68m@VGS=-10Veffect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 80m@VGS=-4.5Vtechnology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 100m@VGS=-2.5Vminimize on-state res

 7.1. Size:1253K  matsuki electric
 me2345as me2345as-g.pdf pdf_icon

ME2345A-G

ME2345AS/ME2345AS-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2345AS is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 65m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 75m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 105m@VGS=-2.5V minimize on-s

Другие MOSFET... ME2325-G , ME2326A , ME2326A-G , ME2328 , ME2328-G , ME2333 , ME2333-G , ME2345A , 2N60 , ME25N06 , ME25N06-G , ME2602 , ME2602-G , ME2604 , ME2604-G , ME2612 , ME2612-G .

History: 2SK2063 | NVA4001N

 

 
Back to Top

 


 
.