ME2345A-G - описание и поиск аналогов

 

ME2345A-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME2345A-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.068 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для ME2345A-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME2345A-G даташит

 ..1. Size:1339K  matsuki electric
 me2345a me2345a-g.pdf pdf_icon

ME2345A-G

ME2345A/ME2345A-G P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2345A is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 68m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density , DMOS trench RDS(ON) 80m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 100m @VGS=-2.5V minimize on-state res

 7.1. Size:1253K  matsuki electric
 me2345as me2345as-g.pdf pdf_icon

ME2345A-G

ME2345AS/ME2345AS-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME2345AS is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 65m @VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density , DMOS RDS(ON) 75m @VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to RDS(ON) 105m @VGS=-2.5V minimize on-s

Другие MOSFET... ME2325-G , ME2326A , ME2326A-G , ME2328 , ME2328-G , ME2333 , ME2333-G , ME2345A , 20N50 , ME25N06 , ME25N06-G , ME2602 , ME2602-G , ME2604 , ME2604-G , ME2612 , ME2612-G .

History: AOTF4N60L | SI1050X

 

 

 

 

↑ Back to Top
.