ME2N7002E - описание и поиск аналогов

 

ME2N7002E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME2N7002E

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для ME2N7002E

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME2N7002E даташит

 ..1. Size:605K  matsuki electric
 me2n7002e.pdf pdf_icon

ME2N7002E

ME2N7002E N-Channel MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES 60V / 0.50A , RDS(ON)= 5.0 @VGS=10V The ME2N7002E is the N-Channel enhancement mode field effect 60V / 0.30A , RDS(ON)= 5.5 @VGS=4.5V transistors are produced using high cell density DMOS technology. Super high density cell design for extremely These products have been designed to minimize on-state resistanc

 6.1. Size:1630K  matsuki electric
 me2n7002d.pdf pdf_icon

ME2N7002E

ME2N7002D N-Channel MOSFET ESD Protected GENERAL DESCRIPTION FEATURES Simple Drive Requirement The ME2N7002D is the N-Channel logic enhancement mode power Small Package Outline field effect transistors are produced using high cell density , DMOS ROHS Compliant trench technology. This high density process is especially tailored to ESD Rating = 2000V HBM min

Другие MOSFET... ME25N06-G , ME2602 , ME2602-G , ME2604 , ME2604-G , ME2612 , ME2612-G , ME2N7002D , IRFB31N20D , ME3205T , ME3205T-G , ME3587 , ME35N06 , ME35N06-G , ME35N10 , ME35N10-G , ME4174 .

History: 2SJ160 | 2SJ389L | AP4500GM | 2N65KL-TND-R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.