ME2N7002E - аналоги и даташиты транзистора

 

ME2N7002E - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: ME2N7002E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для ME2N7002E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME2N7002E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:605K  matsuki electric
 me2n7002e.pdf pdf_icon

ME2N7002E

ME2N7002E N-Channel MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES 60V / 0.50A , RDS(ON)= 5.0@VGS=10V The ME2N7002E is the N-Channel enhancement mode field effect 60V / 0.30A , RDS(ON)= 5.5@VGS=4.5V transistors are produced using high cell density DMOS technology. Super high density cell design for extremely These products have been designed to minimize on-state resistanc

 6.1. Size:1630K  matsuki electric
 me2n7002d.pdf pdf_icon

ME2N7002E

ME2N7002D N-Channel MOSFET ESD ProtectedGENERAL DESCRIPTION FEATURES Simple Drive Requirement The ME2N7002D is the N-Channel logic enhancement mode power Small Package Outline field effect transistors are produced using high cell density , DMOS ROHS Compliant trench technology. This high density process is especially tailored to ESD Rating = 2000V HBM min

Другие MOSFET... ME25N06-G , ME2602 , ME2602-G , ME2604 , ME2604-G , ME2612 , ME2612-G , ME2N7002D , IRFB31N20D , ME3205T , ME3205T-G , ME3587 , ME35N06 , ME35N06-G , ME35N10 , ME35N10-G , ME4174 .

History: RD45HMF1

 

 
Back to Top

 


 
.