ME35N10-G - описание и поиск аналогов

 

ME35N10-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME35N10-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28.1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 166 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 286 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для ME35N10-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME35N10-G даташит

 ..1. Size:1166K  matsuki electric
 me35n10 me35n10-g.pdf pdf_icon

ME35N10-G

ME35N10/ME35N10-G N- Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME35N10 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 22m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 26m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RD

 9.1. Size:1755K  matsuki electric
 me35n06 me35n06-g.pdf pdf_icon

ME35N10-G

ME35N06/ME35N06-G N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 32m @VGS=10V The ME35N06-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 40m @VGS=4.5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

Другие MOSFET... ME2N7002D , ME2N7002E , ME3205T , ME3205T-G , ME3587 , ME35N06 , ME35N06-G , ME35N10 , IRLB3034 , ME4174 , ME4174-G , ME4411 , ME4411-G , ME4413D , ME4413D-G , ME4435 , ME4435-G .

History: R6015KNZ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.