Справочник MOSFET. ME35N10-G

 

ME35N10-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME35N10-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27.8 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 28.1 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 94.7 nC
   Время нарастания (tr): 166 ns
   Выходная емкость (Cd): 286 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для ME35N10-G

 

 

ME35N10-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1166K  matsuki electric
 me35n10 me35n10-g.pdf

ME35N10-G ME35N10-G

ME35N10/ME35N10-G N- Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME35N10 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)22m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)26m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RD

 9.1. Size:1755K  matsuki electric
 me35n06 me35n06-g.pdf

ME35N10-G ME35N10-G

ME35N06/ME35N06-G N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)32m@VGS=10V The ME35N06-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)40m@VGS=4.5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top