Справочник MOSFET. ME35N10-G

 

ME35N10-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME35N10-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28.1 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 166 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 286 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для ME35N10-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME35N10-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1166K  matsuki electric
 me35n10 me35n10-g.pdf pdf_icon

ME35N10-G

ME35N10/ME35N10-G N- Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME35N10 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)22m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)26m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RD

 9.1. Size:1755K  matsuki electric
 me35n06 me35n06-g.pdf pdf_icon

ME35N10-G

ME35N06/ME35N06-G N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)32m@VGS=10V The ME35N06-G is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)40m@VGS=4.5V field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially tailored to

Другие MOSFET... ME2N7002D , ME2N7002E , ME3205T , ME3205T-G , ME3587 , ME35N06 , ME35N06-G , ME35N10 , 60N06 , ME4174 , ME4174-G , ME4411 , ME4411-G , ME4413D , ME4413D-G , ME4435 , ME4435-G .

History: 2SK1567 | APTC60DDAM45CT1G | IXTA88N085T | JCS7HN65B | RSS105N03FU6TB | AP40T10GI-HF | PSMN7R0-30YLC

 

 
Back to Top

 


 
.