Справочник MOSFET. ME4565AD4-G

 

ME4565AD4-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME4565AD4-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 8 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO-252-4L

 Аналог (замена) для ME4565AD4-G

 

 

ME4565AD4-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1600K  matsuki electric
 me4565ad4 me4565ad4-g.pdf

ME4565AD4-G ME4565AD4-G

ME4565AD4/ME4565AD4-G N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 30m@VGS=10V (N-Ch) The ME4565AD4 is the N and P-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 58m@VGS=4.5V (N-Ch) power field effect transistors are produced using high cell density , RDS(ON) 45m@VGS=-10V (P-Ch) DMOS trench technology. This high density process is

 7.1. Size:1171K  matsuki electric
 me4565a me4565a-g.pdf

ME4565AD4-G ME4565AD4-G

ME4565A/ ME4565A-G N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 26.5m@VGS=10V (N-Ch) The ME4565A is the N and P-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 45m@VGS=4.5V (N-Ch) power field effect transistors are produced using high cell density , RDS(ON) 44m@VGS=-10V (P-Ch) DMOS trench technology. This high density process is es

 8.1. Size:611K  matsuki electric
 me4565.pdf

ME4565AD4-G ME4565AD4-G

ME4565 N- and P-Channel 40-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4565 is the N- and P-Channel logic enhancement mode RDS(ON)40m@VGS=10V (N-Ch) power field effect transistors are produced using high cell density , RDS(ON)45m@VGS=4.5V (N-Ch) DMOS trench technology. This high density process is especially RDS(ON)54m@VGS=-10V (P-Ch) tailored to

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRFP250N , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top