ME4825 - описание и поиск аналогов

 

ME4825. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME4825

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для ME4825

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME4825 даташит

 ..1. Size:1295K  matsuki electric
 me4825 me4825-g.pdf pdf_icon

ME4825

ME4825/ME4825-G P-Channel 30-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 21m @VGS=-10V The ME4825 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 29m @VGS=-4.5V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This high density process is especially ta

Другие MOSFET... ME4565AD4 , ME4565AD4-G , ME45N03T , ME45N03T-G , ME45P04 , ME45P04-G , ME4626 , ME4626-G , IRLZ44N , ME4825-G , ME4925 , ME4925-G , ME4946 , ME4946-G , ME4953-G , ME4954 , ME4954-G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.