Справочник MOSFET. ME4953-G

 

ME4953-G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME4953-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8

 Аналог (замена) для ME4953-G

 

 

ME4953-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1461K  matsuki electric
 me4953 me4953-g.pdf

ME4953-G ME4953-G

ME4953/ME4953-G Dual P-Channel 30V (D-S) MOSFETGENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON)60m@VGS=-10V The ME4953 is the Dual P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)90m@VGS=-4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is espec

 8.1. Size:373K  1
 me4953.pdf

ME4953-G ME4953-G

ME4953 Dual P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4953 is the Dual P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)60m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)90m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(

 9.1. Size:1057K  matsuki electric
 me4954 me4954-g.pdf

ME4953-G ME4953-G

ME4954/ME4954-G Dual N- Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4954 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)80m@VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)98m@VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top