ME4954-G. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: ME4954-G
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 89.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 73 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
Аналог (замена) для ME4954-G
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
ME4954-G даташит
me4954 me4954-g.pdf
ME4954/ME4954-G Dual N- Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4954 is the Dual N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 80m @VGS=10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 98m @VGS=4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely
me4953.pdf
ME4953 Dual P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME4953 is the Dual P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 60m @VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 90m @VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low RDS(
me4953 me4953-g.pdf
ME4953/ME4953-G Dual P-Channel 30V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 60m @VGS=-10V The ME4953 is the Dual P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 90m @VGS=-4.5V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS Super high density cell design for extremely low RDS(ON) trench technology. This high density process is espec
Другие MOSFET... ME4825 , ME4825-G , ME4925 , ME4925-G , ME4946 , ME4946-G , ME4953-G , ME4954 , AON6414A , ME4970-G , ME50N06A , ME50N06A-G , ME50N06T , ME50N06T-G , ME50N75T , ME50N75T-G , ME50P06 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
c3203 transistor | irfp450 equivalent | 2sb649 | 2sb324 transistor | b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet



