ME50P06 - описание и поиск аналогов

 

ME50P06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME50P06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 61 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 373 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для ME50P06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME50P06 даташит

 ..1. Size:1228K  matsuki electric
 me50p06 me50p06-g.pdf pdf_icon

ME50P06

ME50P06/ME50P06-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME50P06 is the P-Channel logic enhancement mode power field RDS(ON) 17m @VGS=-10V effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench RDS(ON) 20m @VGS=-4.5V technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extremely low

Другие MOSFET... ME4954-G , ME4970-G , ME50N06A , ME50N06A-G , ME50N06T , ME50N06T-G , ME50N75T , ME50N75T-G , IRF9540 , ME50P06-G , ME55N06A , ME55N06A-G , ME60N03-G , ME60N03AS , ME60N03AS-G , ME60P06T , ME60P06T-G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.