ME55N06A - описание и поиск аналогов

 

ME55N06A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME55N06A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 363 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для ME55N06A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME55N06A даташит

 ..1. Size:1148K  matsuki electric
 me55n06a me55n06a-g.pdf pdf_icon

ME55N06A

ME55N06A/ ME55N06A-G N-Channel 75-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME55N06A is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 9.5m @VGS=10V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density proces

 7.1. Size:1114K  matsuki electric
 me55n06 me55n06-g.pdf pdf_icon

ME55N06A

ME55N06/ ME55N06-G N-Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME55N06 is the N-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 9.5m @VGS=10V Super high density cell design for extremely low RDS(ON) field effect transistors, using high cell density, DMOS trench Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This high density process

Другие MOSFET... ME50N06A , ME50N06A-G , ME50N06T , ME50N06T-G , ME50N75T , ME50N75T-G , ME50P06 , ME50P06-G , 2SK3878 , ME55N06A-G , ME60N03-G , ME60N03AS , ME60N03AS-G , ME60P06T , ME60P06T-G , ME66N04T , ME6968ED .

History: MEE3712T | APM4470K | AOD9N52

 

 

 

 

↑ Back to Top
.