ME60P06T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: ME60P06T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 90.9 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55.3 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 98.6 nC
Время нарастания (tr): 18.1 ns
Выходная емкость (Cd): 427 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0165 Ohm
Тип корпуса: TO-220
ME60P06T Datasheet (PDF)
..1. Size:950K matsuki electric
me60p06t me60p06t-g.pdf
me60p06t me60p06t-g.pdf
ME60P06T/ME60P06T-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME60P06T is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)16.5m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)20.5m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extreme
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
