ME60P06T - описание и поиск аналогов

 

ME60P06T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME60P06T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90.9 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 427 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для ME60P06T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME60P06T даташит

 ..1. Size:950K  matsuki electric
 me60p06t me60p06t-g.pdf pdf_icon

ME60P06T

ME60P06T/ME60P06T-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME60P06T is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON) 16.5m @VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON) 20.5m @VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extreme

Другие MOSFET... ME50N75T-G , ME50P06 , ME50P06-G , ME55N06A , ME55N06A-G , ME60N03-G , ME60N03AS , ME60N03AS-G , IRLB4132 , ME60P06T-G , ME66N04T , ME6968ED , ME6968ED-G , ME6980ED , ME6980ED-G , ME7114S-G , ME7804S-G .

History: BSL211SP

 

 

 

 

↑ Back to Top
.