Справочник MOSFET. ME60P06T

 

ME60P06T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ME60P06T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 427 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

ME60P06T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:950K  matsuki electric
 me60p06t me60p06t-g.pdf pdf_icon

ME60P06T

ME60P06T/ME60P06T-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME60P06T is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)16.5m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)20.5m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extreme

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRFR110PBF | 12N65KL-TF1-T | PE632BA | AP6C072M | CHM3120PAGP | STY100NM60N | SI4532DY

 

 
Back to Top

 


 
.