Справочник MOSFET. ME60P06T

 

ME60P06T MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: ME60P06T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 18.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 427 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: TO-220

 Аналог (замена) для ME60P06T

 

 

ME60P06T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:950K  matsuki electric
 me60p06t me60p06t-g.pdf

ME60P06T ME60P06T

ME60P06T/ME60P06T-G P- Channel 60-V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The ME60P06T is the P-Channel logic enhancement mode power RDS(ON)16.5m@VGS=-10V field effect transistors are produced using high cell density, DMOS RDS(ON)20.5m@VGS=-4.5V trench technology. This high density process is especially tailored to Super high density cell design for extreme

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top