ME6980ED - описание и поиск аналогов

 

ME6980ED. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: ME6980ED

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 123 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0145 Ohm

Тип корпуса: TSSOP-8

Аналог (замена) для ME6980ED

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ME6980ED даташит

 ..1. Size:1307K  matsuki electric
 me6980ed me6980ed-g.pdf pdf_icon

ME6980ED

ME6980ED/ME6980ED-G Dual N-Channel 20V(D-S) Enhancement Mode Mosfet , ESD Protection GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 14.5m @VGS=4.5V The ME6980ED is the Dual N-Channel logic enhancement mode RDS(ON) 15m @VGS=4.0V power field effect transistors are produced using high cell density, RDS(ON) 17m @VGS=3.1V DMOS trench technology. This high density proces

Другие MOSFET... ME60N03-G , ME60N03AS , ME60N03AS-G , ME60P06T , ME60P06T-G , ME66N04T , ME6968ED , ME6968ED-G , SPP20N60C3 , ME6980ED-G , ME7114S-G , ME7804S-G , ME7839S-G , ME80N08A , ME80N08A-G , ME80N75F-G , ME80N75T .

History: MEE4294HT | CRSD082N10L2 | IGLD60R070D1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.