MEE3710-G - описание и поиск аналогов

 

MEE3710-G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MEE3710-G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 530 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MEE3710-G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MEE3710-G даташит

 ..1. Size:1279K  matsuki electric
 mee3710-g.pdf pdf_icon

MEE3710-G

MEE3710-G N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 23m @VGS=10V The MEE3710-G is a N-Channel enhancement mode power field effect Super high density cell design for extremely low RDS(ON) transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This advanced technology is esp

 7.1. Size:1198K  matsuki electric
 mee3710t.pdf pdf_icon

MEE3710-G

MEE3710T N-Channel 100-V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE3710T is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON) 23m @VGS=10V transistors, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) Super high density cell design for extremely low RDS(ON) technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Exceptional on-resistance

 8.1. Size:1328K  matsuki electric
 mee3712t.pdf pdf_icon

MEE3710-G

MEE3712T N-Channel 100V (D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES RDS(ON) 18m @VGS=10V The MEE3712T is a N-Channel enhancement mode power field effect Super high density cell design for extremely low RDS(ON) transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) Exceptional on-resistance and maximum DC current technology. This advanced technology is espec

 8.2. Size:1632K  matsuki electric
 mee3716f.pdf pdf_icon

MEE3710-G

Preliminary-MEE3716F N-Channel 100-V(D-S) MOSFET GENERAL DESCRIPTION FEATURES The MEE3716F is a N-Channel enhancement mode power field effect RDS(ON) 14m @VGS=10V transistor, using Force-MOS patented Extended Trench Gate (ETG) Low Gate Charge technology. This advanced technology is especially tailored to minimize Exceptional on-resistance and maximum DC current on st

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ME9435-G , ME9435A , ME9435A-G , ME95N03 , ME95N03-G , ME95N03T , ME95N03T-G , MEE15N10-G , AO3407 , MEE4294-G , MESS84 , JCS10N60BT , JCS10N60CC , JCS10N60CT , JCS10N60FC , JCS10N60FT , JCS10N60ST .

History: HX3400

 

 

 

 

↑ Back to Top
.