KCB3008A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KCB3008A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 545 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для KCB3008A
KCB3008A Datasheet (PDF)
kcb3008a.pdf

120A85VKCX3008AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features Uses advanced SGTtechnology Extremely lowR (on).typ=4.5 m@Vgs=10VDS Excellent gatecharge x RDS(on) product(FOM)2. Features Motor Drives SR(Synchronous Rectification) DC/DCconvertion General purpose applications3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain
Другие MOSFET... JCS10N60FC , JCS10N60FT , JCS10N60ST , JCS10N65BT , JCS10N65CT , JCS10N65FC , JCS10N65FT , JCS10N65ST , IRF9640 , KCF3650A , KCM3650A , KCF9860A , KCM9860A , KCY3104S , KCY3303S , KIA10N65H , KIA10N80H-220F .
History: MP18N50EIF
History: MP18N50EIF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2sd218 | bc547 характеристики | me15n10-g | 2n2905 equivalent | 2sa640 | 2sb527 | 30g124 | 75339p mosfet