KIA13N50H-220 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KIA13N50H-220

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 195 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.48 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для KIA13N50H-220

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KIA13N50H-220 даташит

 5.1. Size:114K  kia
 kia13n50h.pdf pdf_icon

KIA13N50H-220

13A 500V 13N50H N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Description The KIA13N50H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology

Другие IGBT... KCY3104S, KCY3303S, KIA10N65H, KIA10N80H-220F, KIA10N80H-3P, KIA12N60H-220, KIA12N60H-220F, KIA12N65H, AOD4184A, KIA13N50H-220F, KIA13N50H-263, KIA18N50H-220F, KIA18N50H-247, KIA20N50H-220F, KIA20N50H-247, KIA20N50H-3P, KIA2300