KIA18N50H-220F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KIA18N50H-220F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 190 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для KIA18N50H-220F
KIA18N50H-220F Datasheet (PDF)
kia18n50h.pdf

18A500V18N50HN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. DescriptionThe KIA18N50H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for highvoltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies,active power factor correction.2. Features R =0.25 @V =10VDS(on) GS Lowgate c
Другие MOSFET... KIA10N80H-220F , KIA10N80H-3P , KIA12N60H-220 , KIA12N60H-220F , KIA12N65H , KIA13N50H-220 , KIA13N50H-220F , KIA13N50H-263 , 5N50 , KIA18N50H-247 , KIA20N50H-220F , KIA20N50H-247 , KIA20N50H-3P , KIA2300 , KIA2301 , KIA2302 , KIA2305 .
History: KIA12N60H-220 | IRF5803D2 | TMA7N65H | IRFS4010-7PPBF | HSCE6032 | FQPF17P06 | SSF60R190S2E
History: KIA12N60H-220 | IRF5803D2 | TMA7N65H | IRFS4010-7PPBF | HSCE6032 | FQPF17P06 | SSF60R190S2E



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273 | c3421 transistor | c644 transistor | fgpf4536 datasheet | p20nm60fp datasheet | 2sc1943