Справочник MOSFET. KIA2N60H-252

 

KIA2N60H-252 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KIA2N60H-252
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 44 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для KIA2N60H-252

 

 

KIA2N60H-252 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:330K  kia
 kia2n60h.pdf

KIA2N60H-252 KIA2N60H-252

2.0A, 600VN-CHANNELMOSFET2N60HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA2N60HN-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed forhigh voltage, high speed power switching applications such as switchingregulators, switchingconverters,solenoid, motor drivers, relay drivers.2. Features R =4.1@V =10V.DS(ON) GS Lowgate cha

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top