KIA2N60H-220 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KIA2N60H-220
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для KIA2N60H-220
KIA2N60H-220 Datasheet (PDF)
kia2n60h.pdf

2.0A, 600VN-CHANNELMOSFET2N60HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA2N60HN-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed forhigh voltage, high speed power switching applications such as switchingregulators, switchingconverters,solenoid, motor drivers, relay drivers.2. Features R =4.1@V =10V.DS(ON) GS Lowgate cha
Другие MOSFET... KIA2910A-220 , KIA2910A-263 , KIA2910A-3P , KIA2910N-220 , KIA2910N-263 , KIA2910N-3P , KIA2N60H-251 , KIA2N60H-252 , AON7408 , KIA2N60H-220F , KIA30N06B , KIA3205S , KIA3308A-252 , KIA3308A-263 , KIA3308A-247 , KIA3400 , KIA3401 .
History: NCE30ND07S | SVT085R5NT | FS5KM-10A | RJK005N03 | WML08N65EM | KIA20N50H-247 | SJMN600R60D
History: NCE30ND07S | SVT085R5NT | FS5KM-10A | RJK005N03 | WML08N65EM | KIA20N50H-247 | SJMN600R60D



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor