KIA2N60H-220. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KIA2N60H-220

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для KIA2N60H-220

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KIA2N60H-220 даташит

 6.1. Size:330K  kia
 kia2n60h.pdf pdf_icon

KIA2N60H-220

2.0A, 600V N-CHANNELMOSFET 2N60H KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Description The KIA2N60HN-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switchingregulators, switchingconverters, solenoid, motor drivers, relay drivers. 2. Features R =4.1 @V =10V. DS(ON) GS Lowgate cha

Другие IGBT... KIA2910A-220, KIA2910A-263, KIA2910A-3P, KIA2910N-220, KIA2910N-263, KIA2910N-3P, KIA2N60H-251, KIA2N60H-252, IRFP250N, KIA2N60H-220F, KIA30N06B, KIA3205S, KIA3308A-252, KIA3308A-263, KIA3308A-247, KIA3400, KIA3401