KIA2N60H-220 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KIA2N60H-220
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для KIA2N60H-220
KIA2N60H-220 Datasheet (PDF)
kia2n60h.pdf

2.0A, 600VN-CHANNELMOSFET2N60HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA2N60HN-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed forhigh voltage, high speed power switching applications such as switchingregulators, switchingconverters,solenoid, motor drivers, relay drivers.2. Features R =4.1@V =10V.DS(ON) GS Lowgate cha
Другие MOSFET... KIA2910A-220 , KIA2910A-263 , KIA2910A-3P , KIA2910N-220 , KIA2910N-263 , KIA2910N-3P , KIA2N60H-251 , KIA2N60H-252 , AON7408 , KIA2N60H-220F , KIA30N06B , KIA3205S , KIA3308A-252 , KIA3308A-263 , KIA3308A-247 , KIA3400 , KIA3401 .
History: NTTFS4C13N | AMA420N | HY1808AP | BLV108 | FDBL86363-F085 | RF1S70N06 | FQT2P25
History: NTTFS4C13N | AMA420N | HY1808AP | BLV108 | FDBL86363-F085 | RF1S70N06 | FQT2P25



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
Popular searches
a763 transistor | fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor