KIA2N60H-220F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KIA2N60H-220F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 23.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для KIA2N60H-220F
KIA2N60H-220F Datasheet (PDF)
kia2n60h.pdf

2.0A, 600VN-CHANNELMOSFET2N60HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA2N60HN-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed forhigh voltage, high speed power switching applications such as switchingregulators, switchingconverters,solenoid, motor drivers, relay drivers.2. Features R =4.1@V =10V.DS(ON) GS Lowgate cha
Другие MOSFET... KIA2910A-263 , KIA2910A-3P , KIA2910N-220 , KIA2910N-263 , KIA2910N-3P , KIA2N60H-251 , KIA2N60H-252 , KIA2N60H-220 , IRF9540 , KIA30N06B , KIA3205S , KIA3308A-252 , KIA3308A-263 , KIA3308A-247 , KIA3400 , KIA3401 , KIA3402 .
History: VBZE50P06 | 2N60G-K08-5060-R
History: VBZE50P06 | 2N60G-K08-5060-R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
fhp40n20 | 2n3035 transistor | 2sb649a | 2sd188 | k b778 transistor | 2n5133 datasheet | 2sa726 transistor | 7506 mosfet