STH4N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: STH4N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO218
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам