STH4N80 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STH4N80  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO218

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STH4N80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH4N80 даташит

 ..1. Size:317K  1
 sth4n80 sth4n80fi.pdf pdf_icon

STH4N80

 9.1. Size:629K  1
 sth4n90 sth4n90fi.pdf pdf_icon

STH4N80

Другие IGBT... STH15NA50, STH15NA50FI, STH26N25, STH26N25FI, STH33N20, STH33N20FI, STH45N10, STH45N10FI, TK10A60D, STH4N80FI, STH4N90, STH4N90FI, STH55N10, STH55N10FI, STH5N90, STH5N90FI, STH60N10