Справочник MOSFET. KIA4N60H-251

 

KIA4N60H-251 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KIA4N60H-251
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для KIA4N60H-251

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KIA4N60H-251 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:316K  kia
 kia4n60h.pdf pdf_icon

KIA4N60H-251

4.0A600VN-CHANNELMOSFET4N60HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA4N60H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for highvoltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.2. Features R =2.3@V =10VDS(ON) GS Lowgate cha

 8.1. Size:239K  kia
 kia4n65h.pdf pdf_icon

KIA4N60H-251

4.0A650VN-CHANNELMOSFET4N65HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. DescriptionThis Power MOSFET is produced using KIA advanced planar stripe DMOS technology. Thisadvanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superiorswitching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. Thes

Другие MOSFET... KIA3415 , KIA3510A-220 , KIA3510A-252 , KIA3510A-263 , KIA4603A , KIA4706A , KIA4750S-252 , KIA4750S-220 , 4435 , KIA4N60H-252 , KIA4N60H-220 , KIA4N60H-220F , KIA4N60H-262 , KIA4N65H-251 , KIA4N65H-252 , KIA4N65H-220 , KIA4N65H-220F .

History: IRFR2905Z | NTTFS003N04C | MTEF1P15AV8 | WSD30L90DN56 | RD3P050SN | SI7388DP | WMS09P02TS

 

 
Back to Top

 


 
.