KIA4N60H-251. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KIA4N60H-251

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для KIA4N60H-251

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KIA4N60H-251 даташит

 6.1. Size:316K  kia
 kia4n60h.pdf pdf_icon

KIA4N60H-251

4.0A600V N-CHANNELMOSFET 4N60H KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Description The KIA4N60H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers. 2. Features R =2.3 @V =10V DS(ON) GS Lowgate cha

 8.1. Size:239K  kia
 kia4n65h.pdf pdf_icon

KIA4N60H-251

4.0A650V N-CHANNELMOSFET 4N65H KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Description This Power MOSFET is produced using KIA advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. Thes

Другие IGBT... KIA3415, KIA3510A-220, KIA3510A-252, KIA3510A-263, KIA4603A, KIA4706A, KIA4750S-252, KIA4750S-220, 5N65, KIA4N60H-252, KIA4N60H-220, KIA4N60H-220F, KIA4N60H-262, KIA4N65H-251, KIA4N65H-252, KIA4N65H-220, KIA4N65H-220F